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分子束外延MBE
Veeco 的 GEN20™ MBE 系統(tǒng)是一種超靈活的工具，其設(shè)計可針對 III-V 族和新興材料進(jìn)行配置，包括需要集成電子束技術(shù)的應(yīng)用。該系統(tǒng)采...
型號： GEN20 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:26:00 對比

分子束外延 MBE 薄膜沉積
8英寸多片硅外延系統(tǒng)
SES系列 8英寸多片硅外延系統(tǒng)為單腔多片式硅外延設(shè)備，適用于4、5、6、8英寸的硅外延工藝。SES系列反應(yīng)腔室采用多片平板式的結(jié)構(gòu)，配合感應(yīng)加熱的方式實(shí)現(xiàn)高質(zhì)...
型號： SES系列所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:25:47 對比

SES系列 8英寸多片硅外延系統(tǒng)多片硅外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品概述：磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途：用于...
型號： SMART 所在地：沈陽市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:24:56 對比

磁控濺射薄膜沉積
無掩模直接成像儀光刻機(jī)
PG 300 DI 是一款體積圖案發(fā)生器，專為在 i 線光刻膠中直接寫入高分辨率微結(jié)構(gòu)而設(shè)計。它源自掩模制作工具，具有所有先進(jìn)的 VPG 系統(tǒng)組件，能夠以最高的...
型號： VPG 300 D... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:22:38 對比

高精度高分辨率
分子束外延MBE
Veeco 的 GEN200® MBE 系統(tǒng)是當(dāng)今市場上具成本效益和高容量的多 4 英寸生產(chǎn) MBE 系統(tǒng)。該系統(tǒng)在用于泵浦激光器、VCSEL 和 H...
型號： GEN200 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:20:54 對比

分子束外延 MBE 薄膜沉積
8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)
Esther/Eris 系列 8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)，傳輸系統(tǒng)和工藝模塊設(shè)計可兼容多種工藝用途，友好的人機(jī)交互和安全性設(shè)計保障系統(tǒng)穩(wěn)定、安全、高效，具有...
型號： Esther/Er... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:20:14 對比

Esther/Eris 系列 8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品概述：磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途：用于...
型號：線列式所在地：沈陽市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:19:19 對比

磁控濺射
12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)
Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)，多區(qū)紅外加熱協(xié)同激光微區(qū)補(bǔ)償，溫場均勻可控。
型號： Hesper Ⅱ ... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:15:58 對比

Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)減壓選擇性外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)
Hesper E230A 12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)，優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計提供優(yōu)良的工藝性能。
型號： Hesper E2... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:09:06 對比

單片常壓硅外延系統(tǒng)Hesper E230A 單片常壓硅外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE 8000旨在滿足對高性能化合物半導(dǎo)體器件日益增長的需求。這種在超高壓環(huán)境中使用超純金屬的 8×6? 或 4×8...
型號： MBE 8000 所在地：法國參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:08:56 對比

RIBER MBE 里博分子束外延系統(tǒng)
多腔等離子體工藝系統(tǒng)
多腔等離子體工藝系統(tǒng)-概述：1.方案是適用于最大 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、...
型號： customize... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:07:29 對比

Plasma Pro等離子體工藝系統(tǒng)
勻膠機(jī)
laurell的WS-650-23B型勻膠機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊，具有優(yōu)良的功能。這款650系列涂布機(jī)系統(tǒng) 將可容納最大150mm晶圓和5英寸×5英寸（127m...
型號： WS-650-23... 所在地：美國參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:07:17 對比

半導(dǎo)體前道勻膠機(jī)
分子束外延MBE
GEN2000® MBE 系統(tǒng)提供吞吐量、更長的活動周期、更小的占地面積和集群工具晶圓處理。它是 HBT 和 pHEMT 等無線通信設(shè)備大批量生產(chǎn)以及...
型號： GEN2000 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:05:13 對比

分子束外延 MBE 薄膜沉積
12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)
Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)，優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計提供優(yōu)良的工藝性能。
型號： Hesper I ... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:03:21 對比

Hesper I E430R 外延系統(tǒng)
高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品概述：高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途...
型號： TRP450 所在地：沈陽市參考價：面議更新時間：2024/9/5 11:03:09 對比

磁控濺射薄膜
碳化硅外延系統(tǒng)
MARS iCE115碳化硅外延系統(tǒng)主要用于4、6英寸SiC外延工藝。采用水平熱壁式技術(shù)路線，應(yīng)用優(yōu)良的控溫、控壓算法和專業(yè)的進(jìn)氣、混流結(jié)構(gòu)，使得整個外延工藝過...
型號： MARS iCE1... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:59:21 對比

碳化硅外延系統(tǒng)MARS iCE115
多腔等離子體刻蝕系統(tǒng)
多腔等離子體刻蝕系統(tǒng)-概述：1.方案是適用于最大 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統(tǒng)2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋...
型號： customize... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:56:26 對比

等離子體刻蝕系統(tǒng)刻蝕系統(tǒng)
通用晶圓鍵合平臺
通用晶圓鍵合平臺設(shè)計用于（混合）熱鍵合對準(zhǔn)的200mm和300mm晶圓。其高度模塊化的設(shè)計便于客戶以低擁有成本來實(shí)現(xiàn)極大的配置靈活性。提供多種配置，可滿足研...
型號： XBS300 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:55:41 對比

晶圓鍵合 SUSS XBS300
多片碳化硅外延系統(tǒng)
MARS iCE120 多片碳化硅外延系統(tǒng)，產(chǎn)能大，6 英寸運(yùn)營成本低,薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高。
型號： MARS iCE1... 所在地：北京市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:54:15 對比

多片碳化硅外延系統(tǒng)MARS iCE120
SiC分子外延系統(tǒng)
Epiluvac 產(chǎn)品通常作為完整的系統(tǒng)交付，包括反應(yīng)器模塊、氣體輸送系統(tǒng)、過程控制、安全系統(tǒng)、安裝和調(diào)試。每個系統(tǒng)在發(fā)貨前都經(jīng)過廣泛的測試，一旦安裝，交付還包...
型號： Epiluvac ... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2024/9/5 10:45:16 對比

SiC外延分子外延薄膜沉積

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