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功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)(生產(chǎn)端) 參考價(jià):面議
KC3111功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)(生產(chǎn)端),基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級(jí)模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開發(fā)。脈沖信號(hào)源輸...功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià):面議
KC3120功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可針對(duì)各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間...博達(dá)微FS-Pro半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià):面議
博達(dá)微FS-Pro半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是一款功能全面、配置靈活的半導(dǎo)體器件電學(xué)特性分析設(shè)備,在一個(gè)系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了電流電壓 (IV) 測(cè)試、電容電壓 (CV) 測(cè)試、...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)