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日本ULVAC愛發(fā)科半導體間歇式真空沉積設(shè)備
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日本ULVAC愛發(fā)科半導體間歇式真空沉積設(shè)備
間歇式高真空蒸發(fā)設(shè)備EI系列
間歇式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是一種在基材上形成金屬和氧化物薄膜的設(shè)備。排氣作業(yè)及成膜作業(yè)可在操作面板的集中控制下自動進行,適合研究開發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)。
特征
可配備各種蒸發(fā)源(EB、電阻、EB+電阻)
根據(jù)工藝(升空、行星、衛(wèi)星等)的基材支架
兼容Φ2英寸至6英寸基板、矩形基板、硅、化合物、玻璃和陶瓷基板。
液晶觸摸屏集中顯示和操作
使用 PC 的出色操作性和功能(配方功能、數(shù)據(jù)記錄、維護輔助功能)
目的
功率器件等相關(guān)化合物
LED、LD、高速器件
用于各種實驗
其他一般電子零件
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