首頁(yè) >> 公司動(dòng)態(tài) >> TruePix EBSD開(kāi)啟晶體學(xué)表征的集成化未來(lái)
電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)是一種基于掃描電子顯微鏡的強(qiáng)大晶體學(xué)分析工具,可用于晶粒取向鑒定、相鑒定、晶界識(shí)別、織構(gòu)分析、應(yīng)力和應(yīng)變分析,晶粒大小和形態(tài)分析,動(dòng)態(tài)過(guò)程研究,三維晶體分析等。
現(xiàn)代EBSD技術(shù)在20世紀(jì)90年代初取得了商業(yè)化突破并成功進(jìn)入市場(chǎng),經(jīng)過(guò)三十多年的發(fā)展,EBSD的廣泛應(yīng)用還面臨一些挑戰(zhàn),包括工作流程復(fù)雜,分析敏感材料困難,需要有經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)人員參與等,為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)并使EBSD技術(shù)更加普及,賽默飛世爾科技重磅推出Thermo Scientific™ TruePix™ EBSD探測(cè)器,這是一款集高速與高靈敏度為一體的直接電子探測(cè)器。TruePix探測(cè)器與Apreo ChemiSEM掃描電子顯微鏡和TrueSight能譜儀工作流程無(wú)縫配合,一體化地實(shí)現(xiàn)形貌觀察、元素分析以及晶體學(xué)分析。
產(chǎn)品介紹
TruePix EBSD是一款搭配在Apreo ChemiSEM掃描電鏡上的混合像素直接電子探測(cè)器,直接電子探測(cè)器像素尺寸為256 x 256,TruePix探測(cè)器的發(fā)布實(shí)現(xiàn)了在同一個(gè)計(jì)算機(jī)平臺(tái)上進(jìn)行SEM、EDS和EBSD測(cè)試,無(wú)需外部電子束控制或電腦間的通訊連接,即可實(shí)現(xiàn)快速安全操作,最高可實(shí)現(xiàn)采集速度2000pps。
TruePix探測(cè)器采用了混合像素直接電子探測(cè)器, 由于直接電子探測(cè)器能夠直接記錄電子信號(hào),而不需要中間的磷光屏或光學(xué)傳輸,從而減少了信號(hào)損失,因此具有更高的探測(cè)效率。
TruePix直接電子探測(cè)器
TruePix混合像素探測(cè)器由256x256像素點(diǎn)組成。每個(gè)像素點(diǎn)都有獨(dú)立的電路,且能進(jìn)行單電子計(jì)數(shù),直接電子探測(cè)器相比傳統(tǒng)的背散射電子衍射儀有以下主要優(yōu)勢(shì):
集成一體化
此外,賽默飛推出的TruePix探測(cè)器的發(fā)布使得SEM與EBSD探測(cè)器、后期圖像處理軟件能整合在同一平臺(tái),帶來(lái)更便捷的操作和更好的用戶(hù)體驗(yàn)。
TruePix EBSD在不同的WD和DD下都有很高的標(biāo)定率
賽默飛提供EBSD樣品制備、EBSD采集、
數(shù)據(jù)處理一系列完整的工作流程
EBSD樣品制備的質(zhì)量直接影響數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確度和標(biāo)定率。EBSD花樣采集過(guò)程中,衍射信號(hào)來(lái)自樣品表面以下幾十納米的深度范圍,用于EBSD測(cè)試的樣品需表面平整、清潔且沒(méi)有殘余應(yīng)力,否則會(huì)影響衍射花樣的采集以及EBSD的后續(xù)分析。常見(jiàn)的用于EBSD樣品制備的方法有機(jī)械拋光、電解拋光、FIB樣品制備及氬離子拋光。其中氬離子拋光是一種樣品適用性高的方法,賽默飛世爾科技推出的CleanMill氬離子拋光儀能與Apreo ChemiSEM以及TruePix EBSD集成在一個(gè)工作流程中,即使對(duì)于空氣敏感樣品和電子束敏感樣品也能輕易解決其痛點(diǎn)。
應(yīng)用案例
TruePix EBSD適用于各類(lèi)金屬、合金、陶瓷、礦物、鋰電、地質(zhì)、半導(dǎo)體、薄膜、復(fù)合材料等樣品。
優(yōu)勢(shì)總結(jié)
TruePix EBSD直接電子探測(cè)器是一款全新的集成于SEM的一體化EBSD,它能實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確的EBSD數(shù)據(jù)分析,實(shí)現(xiàn)更高信噪比的數(shù)據(jù)采集。
適合電子束敏感材料分析,有單電子計(jì)數(shù)功能,實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確電子劑量控制。
低電壓性能,允許使用更小的相互作用體積進(jìn)行分析,因此具有更高的空間分辨率。
靈敏度高,即使是低電子劑量下也能采集到高信噪比的信號(hào),在鎳金屬上的標(biāo)定速率等效于>3,000 點(diǎn)/秒/納安。
高通量,可實(shí)現(xiàn)每秒2000點(diǎn)的標(biāo)定速度。
更多內(nèi)容,歡迎您觀看TruePix EBSD直接電子探測(cè)器研討會(huì)。
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