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深圳維爾克斯光電有限公司
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當(dāng)前位置:深圳維爾克斯光電有限公司>>光學(xué)晶體>>非線性晶體>> ZnTe-100H,ZnTe-200HZnTe和GaSe晶體,碲化鋅,硒化鎵晶體

ZnTe和GaSe晶體,碲化鋅,硒化鎵晶體

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)ZnTe-100H,ZnTe-200H

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地深圳市

更新時(shí)間:2024-09-05 16:17:40瀏覽次數(shù):151次

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供貨周期 一個(gè)月 應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
EKSMA Optics目前有售用于產(chǎn)生太赫茲頻段輻射的ZnTe(碲化鋅)和GaSe(硒化鎵)晶體。EKSMA Optics的這兩款晶體具有高損傷閾值,可產(chǎn)生極短且高質(zhì)量的太赫茲脈沖。ZnTe和GaSe晶體,碲化鋅,硒化鎵晶體

艾克斯瑪GaSe,ZnTe太赫茲晶體,應(yīng)用于太赫茲光源與探測(cè)器

EKSMA Optics是一家用于激光器、激光系統(tǒng)和其他光子儀器的精密激光組件的制造商和全球供應(yīng)商。艾克斯瑪公司位于歐洲地理中心立陶宛首都維爾紐斯,為工業(yè)、醫(yī)療、美學(xué)、科學(xué)和國(guó)防市場(chǎng)的不同激光和光子應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供服務(wù)。

EKSMA Optics建立在激光和光學(xué)領(lǐng)域長(zhǎng)期的專業(yè)知識(shí)之上。艾克斯瑪公司于1983年開(kāi)始為科學(xué)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)光機(jī)械元件,從1990年起營(yíng)銷激光應(yīng)用、非線性和激光介質(zhì)晶體的光學(xué)元件。根據(jù)客戶給的圖紙和制造規(guī)格,艾克斯瑪可提供定制光學(xué)和晶體組件服務(wù)。并且也提供各種標(biāo)準(zhǔn)目錄產(chǎn)品,以便快速現(xiàn)貨交付。ZnTe和GaSe晶體,碲化鋅,硒化鎵晶體

EKSMA Optics目前有售用于產(chǎn)生太赫茲頻段輻射的GaSe,ZnTe太赫茲晶體(硒化鎵THz晶體,碲化鋅THz晶體)。ZnTeGaSe晶體 Eksma具有高損傷閾值,太赫茲ZnTe晶體和GaSe晶體可產(chǎn)生極短且高質(zhì)量的太赫茲脈沖。

110晶向的太赫茲晶體ZnTe通過(guò)光學(xué)整流過(guò)程產(chǎn)生太赫茲。光學(xué)整流效應(yīng)是一種二階非線性效應(yīng)。脈沖激光照射到非線性介質(zhì)晶體,脈沖激光的各個(gè)單色分量之間會(huì)在樣品中通過(guò)差頻振蕩現(xiàn)象產(chǎn)生一個(gè)隨時(shí)間變化的電極化場(chǎng),該電極化場(chǎng)將產(chǎn)生太赫茲。

還可利用110晶向的太赫茲晶體ZnTe基于自由空間電光技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲脈沖的探測(cè)。在自由空間光電采樣系統(tǒng)里太赫茲光束和線偏振光束在ZnTe太赫茲源內(nèi)共線傳播。太赫茲光束產(chǎn)生的電場(chǎng)會(huì)影響ZnTe太赫茲源晶體的復(fù)折射率,最終改變線偏振光,自由光電采樣系統(tǒng)能檢測(cè)和放大這種改變并轉(zhuǎn)為更直觀的強(qiáng)度變化來(lái)繪制太赫茲脈沖幅度。

讀出完整電場(chǎng)(包括幅度和時(shí)延)的能力是太赫茲時(shí)域光譜的一大特色。太赫茲ZnTe晶體Eksma還能用于紅外光學(xué)元件基板和真空沉積。ZnTe太赫茲晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號(hào):ZnTe-100H,ZnTe-200H,ZnTe-500H,ZnTe-1000H,ZnTe-2000H,ZnTe-3000H。

注: ZnTe太赫茲晶體含有微氣泡,它們?cè)谡彰骶w的投影中可見(jiàn)。然而,這并不影響太赫茲的產(chǎn)生。我們不接受有關(guān)水晶中存在氣泡的投訴。

使用GaSe晶體Eksma產(chǎn)生的太赫茲能達(dá)到41THz的大帶寬。GaSe太赫茲源是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體,擁有62m空間點(diǎn)群的六邊形結(jié)構(gòu),300K時(shí)的帶隙為2.2eV。GaSe太赫茲晶體有著高激光損傷閾值(可達(dá)3.7 J/cm2),很大的非線性光學(xué)系數(shù)(54pm/V),比較合適的透明范圍(0.65-18μm),和足夠低的吸收系數(shù)(α<0.01cm-1),使其成為寬帶中紅外電磁波產(chǎn)生的重要解決方案。由于使用20fs的飛秒激光源產(chǎn)生和檢測(cè)寬帶太赫茲,GaSe太赫茲源制作的太赫茲發(fā)射器-檢測(cè)器系統(tǒng)性能被認(rèn)為可以達(dá)到與使用太赫茲ZnTe晶體相當(dāng)甚至更好的結(jié)果。使用合適厚度的太赫茲GaSe晶體可以實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲波產(chǎn)生和探測(cè)系統(tǒng)的頻率選擇。太赫茲GaSe晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號(hào):GaSe-10H1,GaSe-30H1,GaSe-100H1,GaSe-500H1,GaSe-1000H1,GaSe-2000H1

注:由于GaSe太赫茲晶體的解理面為(001),對(duì)該晶體使用有一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟,易碎。


太赫茲晶體ZnTe,GaSe性能優(yōu)勢(shì):

- 產(chǎn)生太赫茲能達(dá)到有非常寬的頻域

- 抗損傷閾值高

- 非線性系數(shù)大

- 多種尺寸可選

- 客戶導(dǎo)向的解決方案

- 接受客戶定制服務(wù)


GaSe,ZnTe太赫茲晶體主要應(yīng)用領(lǐng)域:

       - 太赫茲時(shí)域系統(tǒng)

- 太赫茲源晶體

- 中遠(yuǎn)紅外氣體探測(cè)

- CO2激光的SHG

- THZ實(shí)驗(yàn)光源

- 太赫茲成像

- 太赫茲發(fā)射器-檢測(cè)器系統(tǒng)


ZnTe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù):

ZnTe和GaSe晶體,碲化鋅,硒化鎵晶體

GaSe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù):

ZnTe和GaSe晶體,碲化鋅,硒化鎵晶體

ZnTe和GaSe晶體,碲化鋅,硒化鎵晶體

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