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邁可諾技術(shù)有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī) |
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2025-4-9 閱讀(138)
如何將整片晶圓分割成獨(dú)立的芯片呢？
將硅片分裂成小片的過(guò)程通常稱(chēng)為“劃片"或“切割"（Dicing），這是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于將晶圓分割成獨(dú)立的芯片（die）。以下是幾種常見(jiàn)方法及注意事項(xiàng)：
1. 機(jī)械劃片（Dicing Saw）
原理：使用高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片或硬質(zhì)合金刀片切割硅片。
步驟：
貼膜：將硅片背面粘貼在藍(lán)膜（UV膠膜）上，固定位置。
劃片：用劃片機(jī)沿預(yù)先設(shè)計(jì)的切割道（切割線）進(jìn)行切割。
清洗：去除切割產(chǎn)生的碎屑（可用去離子水或超聲波清洗）。
分離：拉伸藍(lán)膜使小芯片分離。
優(yōu)點(diǎn)：成本低、效率高，適合大批量生產(chǎn)。
缺點(diǎn)：可能產(chǎn)生微裂紋或碎屑，需控制刀速和冷卻。
2. 激光切割
原理：利用高能激光（如紫外激光）燒蝕硅片，形成切割道。
步驟：
激光聚焦：將激光聚焦到硅片表面，局部高溫汽化材料。
掃描路徑：按切割道移動(dòng)激光束，形成連續(xù)切割線。
清洗分離：類(lèi)似機(jī)械劃片。
優(yōu)點(diǎn)：精度高（可達(dá)微米級(jí)）、無(wú)機(jī)械應(yīng)力，適合超薄硅片或復(fù)雜形狀。
缺點(diǎn)：設(shè)備昂貴，熱影響區(qū)可能需后續(xù)處理。
3. 化學(xué)蝕刻
原理：使用化學(xué)溶液（如KOH、TMAH）選擇性蝕刻硅片。
步驟：
掩膜保護(hù)：在硅片表面涂覆光刻膠，曝光顯影出切割道圖案。
蝕刻：通過(guò)化學(xué)溶液去除無(wú)掩膜保護(hù)的硅材料。
去膠清洗：去除掩膜，清洗硅片。
優(yōu)點(diǎn)：無(wú)機(jī)械損傷，適合特殊形狀或極薄硅片。
缺點(diǎn)：速度慢，需精確控制蝕刻參數(shù)，廢液處理復(fù)雜。
4. 等離子切割（Plasma Dicing）
原理：利用等離子體蝕刻硅片，形成深槽。
步驟：
掩膜制備：類(lèi)似化學(xué)蝕刻。
等離子刻蝕：通過(guò)反應(yīng)離子刻蝕（RIE）形成切割道。
優(yōu)點(diǎn)：高精度、無(wú)碎屑，適合先進(jìn)制程。
缺點(diǎn)：設(shè)備復(fù)雜，成本高。
注意事項(xiàng)
安全防護(hù)：切割過(guò)程可能產(chǎn)生硅粉塵或化學(xué)蒸汽，需佩戴護(hù)目鏡、手套，并在通風(fēng)環(huán)境中操作。
精度控制：切割深度需略大于硅片厚度，避免殘留連接。
后續(xù)處理：切割后可能需拋光邊緣或進(jìn)行電學(xué)測(cè)試。
