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邁可諾技術(shù)有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī) |
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2020-11-13 閱讀(1604)
應(yīng)用領(lǐng)域
Harrick等離子清洗機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括材料科學(xué)，聚合物科學(xué)，生物醫(yī)學(xué)，微流體技術(shù)，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池制備，光學(xué)器件，顯微鏡，牙科以及其他醫(yī)學(xué)研究等。
離子表面改性
通過(guò)等離子處理來(lái)附著或吸附官能團(tuán)用以處理表面，改變特定應(yīng)用的表面性能。根據(jù)所使用的工藝氣體來(lái)定制引入官能團(tuán)，然后可以使用適當(dāng)?shù)臍怏w將表面潤(rùn)濕性更改為親水性或疏水性。潤(rùn)濕性的提高，通過(guò)改善表面的覆蓋范圍和涂層的延展性以及增強(qiáng)兩個(gè)表面之間的附著力，為后續(xù)處理（例如膜的沉積或分子吸附）做好準(zhǔn)備。
等離子處理的實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)照
硼硅酸鹽玻璃上的水滴接觸角比較，等離子處理前（左圖），等離子處理后（右圖）
（實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)源：A. L. Sumner, et al. Phys. Chem (2004) 6: 604. DOI:10.1039/b308125g. Reproduced by permission of the Royal Society of Chemistry.）
圖1. 在100μm厚的聚己內(nèi)酯（PCL）納米纖維墊上使用Harrick等離子清洗機(jī)，羧基（COOH）的表面密度與空氣等離子體處理時(shí)間的關(guān)系。羧基（COOH）層有助于將明膠分子移植到PCL納米纖維墊上，從而可用作組織工程支架。
圖2. 在聚醚醚酮（PEEK）上使用Harrick等離子清洗機(jī)，水滴接觸角與N 2/O 2等離子體處理時(shí)間的關(guān)系。等離子處理20秒后，PEEK表面變?yōu)橛H水性。
圖3. 在聚四氟乙烯（PTFE）上使用Harrick等離子清洗機(jī)，水滴接觸角與O 2等離子體處理時(shí)間的關(guān)系，表明疏水性增加。等離子體處理會(huì)產(chǎn)生納米級(jí)粗糙度，從而增加疏水性。
可以對(duì)表面進(jìn)行等離子體處理，以改變表面化學(xué)性質(zhì)，但不影響材料的整體性能。因此，等離子體處理可以應(yīng)用于多種材料以及復(fù)雜的表面幾何形狀。以下是我們的等離子清洗機(jī)處理過(guò)的示例應(yīng)用和樣品：
通過(guò)氧化和形成羥基（OH）使表面親水
通過(guò)沉積含氟基團(tuán)（CF，CF 2，CF 3）使表面疏水
表面圖案化，表面上的親水/疏水區(qū)域交替進(jìn)行組合
將功能性聚合物或端基接枝到等離子體活化的表面上
通過(guò)等離子處理的生物材料或組織支架，可促進(jìn)細(xì)胞粘附和細(xì)胞增殖
通過(guò)等離子體沉積聚合物層
空氣或氧氣（O 2）氣體通常用于等離子體清潔和表面活化?？諝饣騉 2等離子體通過(guò)與高活性氧自由基的化學(xué)反應(yīng)以及高能氧離子的燒蝕來(lái)去除有機(jī)污染物。等離子體還促進(jìn)表面上的羥基化（OH基），使表面更具親水性并提高表面潤(rùn)濕性。
水蒸氣（H 2 O）也可用于引入羥基，并使表面更親水。等離子系統(tǒng)需要使用特殊的氣體輸送處理。對(duì)于對(duì)水分敏感的樣品，不建議使用H 2 O等離子體。
備選的，氬氣等離子體可以優(yōu)選用于表面活化，表面（例如金屬）的進(jìn)一步氧化。氬氣等離子體通過(guò)離子轟擊，和表面上污染物的物理消融進(jìn)行清潔，并且還可以通過(guò)暴露于空氣后等離子體活化的表面進(jìn)行反應(yīng)來(lái)提高表面親水性。
可以在表面上施加四氟化碳（CF 4）等離子體，以形成含氟基團(tuán)（CF，CF 2，CF 3）的疏水涂層。氟化等離子體減少了表面上親水性極性端基的數(shù)量并降低了表面潤(rùn)濕性。若使用氟化氣體，則需要用石英室代替標(biāo)準(zhǔn)的耐熱玻璃室。
另外，對(duì)于硼硅酸鹽玻璃中痕量雜質(zhì)的潛在污染，建議使用石英腔室。
以下是Harrick等離子清洗機(jī)建議處理的工藝條件（可能需要進(jìn)行一些實(shí)驗(yàn)才能確定Z JIA工藝條件）：
壓力：100毫托至1托
射頻功率：中或高
處理時(shí)間：1-3分鐘
等離子處理后應(yīng)立即使用表面（若長(zhǎng)時(shí)間暴露于空氣中，經(jīng)過(guò)等離子體處理的表面可能會(huì)恢復(fù)其未經(jīng)處理的表面特性）
