電波暗室就是內(nèi)表面全部裝有無反射材料的屏蔽室。模擬自由空間的傳播環(huán)境，主要用于微波天線系統(tǒng)的參數(shù)測量。隨著電子技術(shù)的日益發(fā)展，電波暗室已被更多的人了解和應(yīng)用，那么怎樣判斷一個(gè)電波暗室的性能呢？下面一起來看看吧。

一、電波暗室的電性能指標(biāo)

通常用靜區(qū)，反射率電平，交叉極化度，多路徑損耗，幅度均勻性和工作頻率等六項(xiàng)指標(biāo)來表示。

1、交叉極化度：由于暗室結(jié)構(gòu)的不嚴(yán)格對稱、吸波材料對各種極化波吸收的不一致性以及暗室測試系統(tǒng)等因素使電波在暗室傳播過程中產(chǎn)生極化不純的現(xiàn)象。如果待測試天線與發(fā)射天線的極化面正交和平行時(shí)，所測試場強(qiáng)之比小于-25dB，就認(rèn)為交叉極化度滿足要求。

2、多路徑損耗：路徑損耗不均勻會(huì)使電磁波的極化面旋轉(zhuǎn)，如果以來波方向旋轉(zhuǎn)待測試天線，接收信號的起伏不超過±0.25dB，就可忽略多路徑損耗。

3、場均勻性：在暗室靜區(qū)，沿軸移動(dòng)待測試天線，要求起伏不超±2dB；在靜區(qū)的截面上，橫向和上下移動(dòng)待測天線，要求接收信號起伏不超過±0.25dB。

二、電波暗室性能指標(biāo)

在利用光線發(fā)射法和能量物理法對暗室性能進(jìn)行仿真計(jì)算時(shí)，需要考慮電波的傳輸去耦，極化去耦，標(biāo)準(zhǔn)天線的方向圖因素，吸波材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影響。但在實(shí)際的工程設(shè)計(jì)過程中，往往以吸波材料的性能作為暗室性能的關(guān)鍵決定因素。

三、天線測量的誤差

1、有限測試距離所引起的誤差。設(shè)待測的是平面天線，接收的來波沿其主波束的軸向。若測試距離大小，由待測天線之不同部位所接受的場不能相同，因此具有平方根律相位差。若待測天線恰位于源天線遠(yuǎn)場區(qū)的邊界2D2/λ，其口徑邊緣與相位中心的場存在22.5度的相位差.若測試距離加倍，在相位差減半。對于測量中等旁瓣電平的天線，距離2D2/λ通常已經(jīng)足夠，測出的增益約偏小0.06dB。測試距離縮短會(huì)使測量誤差迅速增大，旁瓣會(huì)與主波束合并成肩臺(tái)式，甚至合為一體。通常0.25dB的錐銷使測出的增益降低約為0.1dB，并造成近旁瓣的些許誤差。

2、反射。直射波受從周圍物體反射的干涉，在測試區(qū)域形成場的變化，由于該波波程差作為位置的函數(shù)而迅速變化，使起伏的長度屬于波長的數(shù)量級。例如比直射波低20dB的反射波，可引起-0.92～+0.83dB的功率誤差，具體取決于兩種之間的差異；相位測量的誤差范圍為±5.7°，但若反射波的場比直射波低40dB，則側(cè)出的幅度與相位分別僅有±0.09與±0.6°的誤差。反射在低旁瓣的測量中特別有害。一項(xiàng)很小的反射通過主瓣耦合到待測天線，可以掩蓋住耦合到旁瓣的直射波。如果相耦合的直射和反射波強(qiáng)度相等，則測出的旁瓣電平會(huì)抬高6dB左右，或者在測得的波瓣圖中成為零點(diǎn)。

3、其他誤差。還可能導(dǎo)致天線測量產(chǎn)生誤差的因素有：低頻時(shí)與電抗近場的耦合可能比較顯著；測量天線的對準(zhǔn)誤差；其他干擾信號；測試電纜所引起的誤差等。

電波暗室的應(yīng)用已經(jīng)越來越廣泛，為了滿足人們的需求也會(huì)對電波暗室各個(gè)參數(shù)及各個(gè)方面做出改善。