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    半導(dǎo)體用高純硫酸中此類金屬雜質(zhì)的含量在100ppt以下,這樣的含量是可以直接用ICP-MS檢測(cè)的,但98%的硫酸粘度比較大,直接引入ICP-MS會(huì)有問(wèn)題，必須稀釋10倍以上。所以實(shí)際上需要能穩(wěn)定檢測(cè)10ppt以下此類金屬的高靈敏度ICP-MS, Ti、V、Cr及Zn需要克服超痕量檢測(cè)的極限，同時(shí)要消除以SO⁺、S³⁺、HSO⁺、ArS⁺為代表的硫的干擾。

 

    本應(yīng)用的目的是驗(yàn)證NexION 2000S對(duì)半導(dǎo)體工藝中廣泛應(yīng)用于清除硅片表面高分子有機(jī)污染物的高純硫酸中Ti.、V、Cr、Zn的檢測(cè)能力。于半導(dǎo)體高純樣品分析的NexION 2000S為了能消除硫引起的干擾、在10ppt以下獲得穩(wěn)定的分析結(jié)果,通過(guò)利用DRC功能直接去除硫的干擾或運(yùn)用氨質(zhì)量轉(zhuǎn)移(M++ NH3-→M-NH³⁺)方法，從硫酸中檢測(cè)出Ti、V.Cr及Zn。