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氮化鎵電阻率方阻測試儀：氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極...

碳化硅電阻率方阻測試儀：1、電阻率ρ不僅和導體的材料有關，還和導體的溫度有關。在溫度變化不大的范圍內：幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化，即ρ=ρ0（1+at...

晶圓電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，...

硅片電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，...

非接觸式單點薄層電阻測量系統(tǒng)。該裝置包含一個渦流傳感器組，感應弱電流到導電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應電流產生與測量對象的片電阻相關的電磁...

表面光電壓法（Surface Photovoltage Method，簡稱SPV法）是通過測量由于光照在半導體材料表面產生的表面電壓來獲得少數載流子擴散長度的方...

無損方塊電阻測試儀包含一個渦流傳感器組，感應弱電流到導電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應電流產生與測量對象的片電阻相關的電磁場。電渦流技術不依...

晶錠非接觸方阻測試儀：晶錠，也叫單晶硅棒，是一種純硅材料，在電子工業(yè)中被廣泛應用。晶錠是一種長條狀的半導體材料，通常采用Czochralski法或發(fā)明家貝爾曼的...

晶錠渦流法電阻率測試儀：電阻率是用來表示各種物質電阻特性的物理量。某種物質所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長度的比值叫做這種物質...

霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數RH與?電導率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱?。其表達式為μH =│RH│σ。?12定義和計...

??渦流法方阻測試儀的方阻是指一個正方形?薄膜導電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導電材料（如?蒸發(fā)鋁膜、?導電漆膜、印制電路板銅...

是一款汞探針CV自動圖形掃描測量系統(tǒng)。它使用高頻CV測量分析系統(tǒng)，可以對75mm、100mm、125mm、150mm、200mm（以及300mm）直徑的測試片進...

電化學EC-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃...

非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀，遷移率（霍...

我司憑借先進的技術和豐富的產品線，已發(fā)展成為中國大陸少數具有一定國際競爭力的半導體專用設備提供商，主營非接觸方阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測...

霍爾遷移率測試儀主要利用微波測試原理，非接觸式測量射頻HEMT結構半導體材料的方阻、遷移率及載流子濃度。可實現(xiàn)單點測試，亦可以實現(xiàn)面掃描的測試功能，具有快速，無...

渦流法?電阻率方阻是一種利用電磁感應原理進行檢測的方法。當載有交變電流的試驗線圈靠近導體工件時，會產生交變磁場，進而在工件中感生出密閉的環(huán)狀電流，即渦流。渦流的...

設備主要利用渦電流測試原理，非接觸測試半導體材料，石墨烯，透明導電膜，碳納米管，金屬等材料的方阻（電阻率）。可實現(xiàn)單點測試，亦可以實現(xiàn)面掃描的測試功能，可用于材...

PN型測試儀可以測試硅片PN型號、硅片厚度也是影響生產力的一個因素，因為它關系到每個硅塊所生產出的硅片數量。超薄的硅片給線鋸技術提出了額外的挑戰(zhàn)，因為其生產過程...

我司主營：晶圓電阻率測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測試儀，遷移率少子壽命測試儀。