磁控濺射儀為一種用于物理學領域的分析儀器,于2015年05月25日啟用。在電場E的作用下,電子在往基片飛去的過程中和氬原子有所碰撞,從而使得Ar正離子和新的電子電離產(chǎn)生。新電子往基片飛去,在電場作用下,Ar離子往陰極靶加速飛去,并且通過高能量對靶表面進行量轟擊,使得靶材發(fā)生濺射。
磁控濺射儀種類
磁控濺射儀為一種用于物理學領域的分析儀器,于2015年05月25日啟用。
磁控濺射為物理氣相沉積的一種。金屬、半導體、絕緣體等多材料的制備通常會采用一般的濺射法,其的特點為有著較為簡單的設備,控制起來不困難,有著較大的鍍膜面積以及有著較強的附著力等。在上世紀70年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是使高速、低溫、低損傷得以實現(xiàn)。由于高速濺射是在低氣壓下進行,必須要使氣體的離化率得到有效地提高。磁控濺射利用將磁場往靶陰極表面引入,通過磁場約束帶電粒子來使得等離子體密度提高進而使得濺射率增加。
磁控濺射儀換樣品過程:
1、shou先將真空顯示打開,對濺射室處于真空狀態(tài)與否進行檢查,如果處在真空狀態(tài),那么shou先要放氣,室內(nèi)的大氣壓平衡外界的大氣壓,將濺射室內(nèi)的照明燈打開,查看機械手是否在靶檔板下面放著,定位鎖是否已經(jīng)抽出時才可以對升起屏蔽罩與否做決定。
2、將步進電機升開關按動,緩緩升起屏蔽罩,直到適合的為止為止,當屏蔽罩升到zui高位置時,步進電機升開關起到的作用為零。
3、在對樣品(靶材)進行更換時:將螺絲松動,將靶材用清洗干凈的鑷子小心取出靶材,往干凈的容器內(nèi)放入靶材,使污染得以避免。濺射室使用紗布沾高純酒精清洗干凈。在對靶材進行放置時,必須要使靶材接觸靶面。將靶材放于中xin,在轉盤上架卡樣品。
4、對步進電機降開關進行按動,緩緩下降屏蔽罩,當下降到與濺射室相接近時,必須在屏蔽罩壁上貼定位儀,能夠使用左手對步進電機降開關進行按動,右手對屏蔽罩進行推動,使其安全下降,值得注意的是千萬不要損壞濺射室上真空圈,如果損壞真空,整個濺射室就不可以抽真空,儀器的工作就不會正常。
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