800-2600nm 高速銦鎵砷PIN光電二極管 3mm TO39密封平面透鏡 參考價：面議
800-2600nm 高速銦鎵砷PIN光電二極管 3mm TO39密封平面透鏡靈敏度波長范圍為800nm ~2600nm 的MTPD260T8-300是一個高靈...
600-1750nm 高速InGaAs PIN光電二極管 TO-39封裝 參考價：面議
600-1750nm 高速InGaAs PIN光電二極管 TO-39封裝Marktech的1346系列是高靈敏度和高可靠性的產(chǎn)品系列，非常適合于光通信設(shè)備。 客...
800-2600nm 高速銦鎵砷PIN光電二極管 3.0mm TO39密封圓頂透鏡 參考價：面議
800-2600nm 高速銦鎵砷PIN光電二極管 3.0mm TO39密封圓頂透鏡MTPD260K8-300是一個高靈敏度和高可靠性的產(chǎn)品系列， 非常適合于光通...
600-1750nm 銦鎵砷象限光電二極管（光電探測器） 參考價：面議
600-1750nm 銦鎵砷象限光電二極管（光電探測器）4346系列是一個高靈敏度和高可靠性的產(chǎn)品系列，非常適合光通信設(shè)備。該模型也 可選用定制包裝
5um 超快中紅外探測器 量子阱 QWIP 參考價：面議
5um 超快中紅外探測器 量子阱 QWIPMIR QWIP是基于先進的QWIP技術(shù)而研發(fā)的一款超快速中紅外探測器。它的響應(yīng)速度高達數(shù)十GHz，是市場上最快的檢測...
800-2600nm 高速銦鎵砷PIN光電二極管 1.5mm TO39密封圓頂透鏡 參考價：面議
800-2600nm 高速銦鎵砷PIN光電二極管 1.5mm TO39密封圓頂透鏡產(chǎn)品總覽靈敏度波長范圍的800nm~2600nm MTPD260K8-150是...
900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級TEC冷卻 Φ3mm 參考價：面議
900-2700nm InGaAs光電二極管 兩級TEC冷卻Φ3mm產(chǎn)品總覽GESTIN-2TE-TO8系列單元InGaAs探測器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)I...
900-1700nm 銦鎵砷InGaAs平衡探測器 參考價：面議
900-1700nm 銦鎵砷InGaAs平衡探測器Koheron PD100B是一款增益為39kV/A、帶寬為100MHz、共模抑制比為35dB的放大平衡探測器...
320-1100nm Si硅光電探測器模塊 直徑1.2mm 參考價：面議
320-1100nm Si硅光電探測器模塊 直徑1.2mmC3A系列光電檢測模塊將光電二極管，放大電路和電源調(diào)理電路集成在一個小型化的模塊內(nèi)。不僅適用于各種實驗...
900-1700nm 大光敏面InGaAs探測器 參考價：面議
900-1700nm 大光敏面InGaAs探測器C3A-I1700LA系列光電檢測模塊將光電二極管，放大電路和電源調(diào)理電路集成在一個小型化的模塊內(nèi)。不僅適用于各...
平衡探測器 1064 nm/1550nm 參考價：面議
平衡探測器 1064 nm/1550nm該BD系統(tǒng)配備了電子混合路徑，用于控制信號的解調(diào)和誤差信號的生成，以鎖定壓縮真空態(tài)和BD本地振蕩器的相對相位。通過這種方...
D2250 單波長探測器（Si硅光電） 參考價：面議
D2250 單波長探測器（Si硅光電）中紅外探測器面臨的最大挑戰(zhàn)通常是固有噪聲較大，并且它們會收集來自周圍環(huán)境的大量輻射。我們的探測器通過使用窄高效上轉(zhuǎn)換技術(shù)與...
900-2600nm 銦鎵砷InGaAs PIN光電二極管 φ0.3mm 參考價：面議
900-2600nm 銦鎵砷InGaAs PIN光電二極管 φ0.3mmInGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍（...
900-2600nm 銦鎵砷InGaAs PIN光電二極管 φ3mm 參考價：面議
900-2600nm 銦鎵砷InGaAs PIN光電二極管 φ3mmInGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍（0....
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm 參考價：面議
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mmAPD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信...
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm 參考價：面議
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mmAPD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信...
2.2um 擴展型銦鎵砷InGaAs 光電二極管探測器GPD φ2mm 參考價：面議
2.2um 擴展型銦鎵砷InGaAs 光電二極管探測器GPD φ2mm2.2um擴展型InGaAs光電二極管響應(yīng)截止波長達到2.2um,提供了出色的分流電阻，并...
Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管（800-1800nm 直徑 5mm） 參考價：面議
Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管（800-1800nm 直徑 5mm）筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷...
Ge 鍺 超大光敏PIN光電二極管（800-1800nm 直徑 10mm） 參考價：面議
Ge 鍺 超大光敏PIN光電二極管（800-1800nm 直徑 10mm）筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)...
銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3500, >15 GHz 美國EOT 參考價：面議
銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3500, 15 GHz美國EOT產(chǎn)品總覽筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technol...
砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000F, >12.5 GHz 美國EOT 參考價：面議
砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000F, 12.5 GHz 美國EOT產(chǎn)品總覽筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Techn...
銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000F, >10 GHz 美國EOT 參考價：面議
銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000F, 10 GHz美國EOT產(chǎn)品總覽筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Techno...
硅 Silicon ET-2040 硅光電探測器 ＞25MＨz 美國EOT 參考價：面議
硅 Silicon ET-2040 硅光電探測器 ＞25MＨz 美國EOT產(chǎn)品總覽筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technolog...
硅 Silicon ET-2070 - 硅光電探測器 >118 MHz 美國EOT 參考價：面議
硅 SiliconET-2070 - 硅光電探測器 118 MHz 美國EOT產(chǎn)品總覽筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technol...(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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