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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
富士IGBT功率模塊在變頻器中的應(yīng)用：由 于IGBT模塊MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT網(wǎng)格通過(guò)一層氧化膜和發(fā)射器實(shí)現(xiàn)電氣隔離。由于氧化膜非常薄,其擊穿電壓一般20 ~ 30 v 。因此引起的靜態(tài)電網(wǎng)故障的常見(jiàn)原因之一IGBT的失敗。因此使用應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：使用模塊時(shí)，不要觸摸驅(qū)動(dòng)器終端部分，當(dāng)觸摸模塊終端靜電對(duì)人體或 衣服大電阻接地放電后,再次觸摸;與導(dǎo)電材料模塊驅(qū)動(dòng)程序終端連接,連接沒(méi)有連接之前請(qǐng)不要插入模塊;地板的條件下盡可能好的接地操作。有時(shí)，盡管在應(yīng)用 程序以確保門(mén)驅(qū)動(dòng)電壓不超過(guò)電網(wǎng)大額定電壓，但網(wǎng)格之間的寄生電感和電容耦合連接網(wǎng)格和收藏家,也會(huì)產(chǎn)生氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常由雙絞線(xiàn)傳輸 信號(hào)，以減少寄生電感。小電阻串聯(lián)在電網(wǎng)連接也可以抑制振蕩電壓。此外，在開(kāi)放的柵極,如果電極間的電壓和收集器和發(fā)射,電極電位的變化,由于泄漏電流流 經(jīng)收集器,更高的柵極電壓,電流流經(jīng)收集器。此時(shí)，如果收藏家和發(fā)射電極的高電壓，它可以使IGBT發(fā)燒時(shí)損壞。IGBT的使用場(chǎng)合,當(dāng)柵極電路正常或柵 極電路損壞(網(wǎng)格在開(kāi)路狀態(tài)),如果在主電路和電壓,IGBT將受損,為了防止此類(lèi)故障,應(yīng)該是門(mén)和發(fā)射極之間串接一個(gè)10 kΩ阻力。安裝或更換IGBT模塊的時(shí)候,我們應(yīng)該高度重視的接觸狀態(tài)IGBT模塊與散熱器和收緊。為了減少接觸熱阻,散熱器和IGBT模塊之間的熱 導(dǎo)電硅膠。一般散熱器安裝在底部的冷卻風(fēng)扇,當(dāng)散熱器冷卻的冷卻風(fēng)扇損壞壞熱將導(dǎo)致IGBT模塊,和失敗。定期檢查冷卻風(fēng)扇,通常在附近的散熱器IGBT 模塊配備溫度傳感器,當(dāng)溫度太高會(huì)提醒或停止富士IGBT功率模塊的工作。
富士IGBT模塊一系列型號(hào)現(xiàn)貨銷(xiāo)售，庫(kù)存充足：
2MBI1000VXB-170E-54
2MBI1000VXB-170EA-54
2MBI00U4A-120-50
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2MBI300VAN-120-53
2MBI450VAN-120-53
2MBI600VAN-120-53
2SK2767-01-S25PP
2SK3531-01-S25PP
6MBI80VB-120-50
6MBI80VB-120-55
6MBI50U4A-120-50
6MBI50VA-120-50
6MB75U4A-120-50
6MBI75VA-120-50