您好, 歡迎來(lái)到化工儀器網(wǎng)
什么是半導(dǎo)體測(cè)試儀器以及它的用處
閱讀：1417 發(fā)布時(shí)間：2021-6-2
什么是半導(dǎo)體測(cè)試儀器以及它的用處
半導(dǎo)體測(cè)試儀器簡(jiǎn)介：
在半導(dǎo)體時(shí)代的初期，器件是一些簡(jiǎn)單的2引腳或3引腳元件，如二極管和晶體管，其中的大部分都很容易用通用電子儀器進(jìn)行測(cè)試。如今，在經(jīng)歷50年不斷加速的技術(shù)進(jìn)展之后，半導(dǎo)體器件已經(jīng)躋身于人類(lèi)的最復(fù)雜創(chuàng)造之列。例如，現(xiàn)代微處理器要求成千上萬(wàn)技術(shù)人員一起工作若干年的共同努力，以設(shè)計(jì)和每年制造出數(shù)百萬(wàn)個(gè)器件常規(guī)用于計(jì)算機(jī)、通信系統(tǒng)、汽車(chē)和游戲中。
隨著半導(dǎo)體復(fù)雜性的增加，必須發(fā)明能應(yīng)對(duì)期間日益增多的性能和種類(lèi)的測(cè)試需要的新型測(cè)試儀器和儀器組合（稱為半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)）。下面來(lái)為大家介紹目前在設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體中經(jīng)常使用的儀器和測(cè)試系統(tǒng)類(lèi)型。
半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備用于何處：
半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備用在將半導(dǎo)體器件推向市場(chǎng)的屬關(guān)鍵的若干設(shè)計(jì)和工藝步驟中。這種工藝出現(xiàn)在研發(fā)實(shí)驗(yàn)室中，在此，器件設(shè)計(jì)和制造工藝小組已經(jīng)完成形式為整列中包含數(shù)百個(gè)器件的硅晶片的新器件類(lèi)型的第一個(gè)樣件。必須對(duì)器件進(jìn)行特性測(cè)試，以確定器件的設(shè)計(jì)和制造是否正確并像預(yù)期那樣發(fā)揮作用。
這個(gè)特性測(cè)試步驟是利用適當(dāng)?shù)臏y(cè)試系統(tǒng)對(duì)器件完成一系列功能測(cè)試和性能測(cè)試，隨著問(wèn)題的找出和確定，這個(gè)構(gòu)建-測(cè)試循環(huán)通常要重復(fù)并取得供分析的結(jié)果幾次，知道認(rèn)為器件可以交付制造（一個(gè)意味著器件能以足夠高的成品率批量制造且在市場(chǎng)上有利可圖的術(shù)語(yǔ)）。
在制造階段之后，在若干工藝步驟末尾利用半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備確保制作過(guò)程在控制之下進(jìn)行。此后，晶片進(jìn)行精加工，在提交最終用戶之前又要檢驗(yàn)器件，確認(rèn)其功能完備，性能符合技術(shù)指標(biāo)。制作過(guò)程中，使用的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備對(duì)于所有類(lèi)型的器件都相似，因?yàn)榇郎y(cè)的參數(shù)包括簡(jiǎn)單的電阻、電容、擊穿電壓、漏泄電流和增益。這些測(cè)試是在與被制造器件一起嵌入每個(gè)晶片中的專(zhuān)用測(cè)試架上進(jìn)行。晶體制造過(guò)程中使用的測(cè)試系統(tǒng)被稱為參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，因?yàn)樗麄儨y(cè)量晶片上很基本的半導(dǎo)體參數(shù)。
完成晶片制作的過(guò)程之后，一切都發(fā)生了變化?，F(xiàn)在，不能用單一類(lèi)型的設(shè)備去測(cè)試所有各種晶片，所用半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備必須能測(cè)量每個(gè)晶片上制作的特殊類(lèi)型器件。由于特殊類(lèi)型器件可能從簡(jiǎn)單的晶體管到復(fù)雜的微處理器，所以，目前使用了各種各樣類(lèi)型的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
半導(dǎo)體制造過(guò)程中采用的典型測(cè)試步驟
出半導(dǎo)體器件制造中采用的典型測(cè)試步驟。除用于不同類(lèi)型器件的測(cè)試系統(tǒng)之間有所不同外，晶體分類(lèi)測(cè)試系統(tǒng)和用于測(cè)試相同部件的最終測(cè)試系統(tǒng)之間往往也存在重大差別。這些差別受每個(gè)測(cè)試階段的不同測(cè)試要求以及測(cè)試通過(guò)量要求、器件成品率（每個(gè)測(cè)試階段良好期間的百分?jǐn)?shù)）和總測(cè)試成本考慮的影響。晶片分類(lèi)測(cè)試系統(tǒng)通常比用于相同期間的最終測(cè)試系統(tǒng)有較差的新能和更低的成本。然而，由于晶片分類(lèi)測(cè)試要測(cè)試測(cè)試器件的功能而包含更冗長(zhǎng)的測(cè)試，結(jié)果，晶片分類(lèi)的最終測(cè)試對(duì)測(cè)試總成本往往有大致相同的經(jīng)濟(jì)影響。在當(dāng)前高度競(jìng)爭(zhēng)的半導(dǎo)體市場(chǎng)上，測(cè)試的總成本是半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)*選的參數(shù)。