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EVG^®610  Mask Alignment System

EVG®610   掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)

EVG®610是一款緊湊的多功能研發(fā)系統(tǒng)，可處理200mm以下的小基板片和晶圓。

技術(shù)數(shù)據(jù)

EVG610支持多種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，例如真空，硬，軟和接近曝光模式，并可選擇背面對準(zhǔn)。此外，該系統(tǒng)還提供其他功能，包括鍵對準(zhǔn)和納米壓印光刻（NIL）。 EVG610提供快速的處理和重新安裝工具，可在不到幾分鐘的時(shí)間內(nèi)轉(zhuǎn)換用戶需求。其先進(jìn)的多用戶概念可以適應(yīng)從初學(xué)者到專家級別的所有需求，因此使其非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。

特征

晶圓/基片尺寸從大200 mm / 8'’                頂側(cè)和底側(cè)對齊能力

高精度對準(zhǔn)臺(tái)                                  自動(dòng)楔形補(bǔ)償序列

電動(dòng)和配方控制的曝光間隙                      支持的UV-LED技術(shù)

小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求                  分步流程指導(dǎo)

遠(yuǎn)程支持：

多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和配方，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）

敏捷處理和轉(zhuǎn)換重組；臺(tái)式或帶防震花崗巖臺(tái)的單機(jī)版

附加功能：

鍵對齊         紅外對準(zhǔn)        納米壓印光刻（NIL）

技術(shù)數(shù)據(jù)

對齊方式：上側(cè)對齊：≤±0.5 µm      底面要求：≤±2,0 µm

紅外校準(zhǔn)：≤±2,0 µm /基板材料，具體取決于

鍵對準(zhǔn)：≤±2,0 µm      NIL對準(zhǔn)：≤±2,0 µm

曝光源：汞光源/紫外線LED光源      楔形補(bǔ)償      全自動(dòng)-SW控制

晶圓直徑（基板尺寸）：高達(dá)100/150/200毫米

曝光設(shè)定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式

曝光選項(xiàng)：間隔暴露/洪水暴露/扇區(qū)暴露       

先進(jìn)的對齊功能：手動(dòng)對準(zhǔn)/原位對準(zhǔn)驗(yàn)證    手動(dòng)交叉校正   大間隙對齊

系統(tǒng)控制：作業(yè)系統(tǒng)：Windows

文件共享和備份解決方案/無限制配方和參數(shù)；多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR；實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問，診斷和故障排除；

納米壓印光刻技術(shù)，紫外線零。