Opto Diode紅藍增強型探測器

Opto Diode紅藍增強型探測器，低電容，400-740nm

Opto Diode提供高質(zhì)量的標(biāo)準和定制的可見光譜硅光電二極管。我們有各種各樣低暗電流和低電容的器件。400-740nm光電探測器可以在400-740nm之間的響應(yīng)，我們生產(chǎn)的紅藍增強型探測器適用于許多應(yīng)用。對于大批量的需求，您可以直接找我們訂購。

Opto Diode光電二極管存儲和操作溫度范圍為-55°C至100°C，最高結(jié)點溫度100°C，引線焊接溫度260°C。Opto Diode可見光增強型探測器總共有14個型號，有效面積為1~42mm2，用三種方式進行密封包裝，這三種方式分別是TO-5、TO-8、TO-18。Opto Diode可見光增強型探測器有低暗電流、低電容、圓形有效區(qū)域、芯片尺寸可以優(yōu)化等特點，優(yōu)化的芯片尺寸可以獲得最大的信號。

Opto Diode可見光增強型探測器是增強型光電二極管，紅色增強型光電二極管標(biāo)準品的波長為632nm，藍色增強型光電二極管標(biāo)準品的波長為450nm。對于紅藍增強型探測器的其他波長可以找我們定制，藍色增強型探測器波長為450nm時靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。紅色增強型探測器波長為632nm時最小值是0.35A/W，典型值是0.4A/W。

ODD-1、ODD-1W、ODD-1B和ODD-1WB在25°時的光電特性

TO-18封裝、低成本格式、低暗電流、低電容。

活動區(qū)域是1.35mmx0.76mm時, 活動區(qū)域的典型值是1mm2。VR=10V時暗電流的典型值是0.2nA，最大值是1nA。當(dāng)電阻的電流為IR=10µA時，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。VR=10V測試條件下，上升時間典型值為8納秒，最大值是15納秒。在Vf=1V時，串聯(lián)電阻的典型值為25歐姆，最大值是60歐姆。ODD-1、ODD-1W、ODD-1B和ODD-1WB的特點一樣，除了靈敏度和電容不一樣。ODD-1B和ODD-1WB在450nm的波長下靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W，當(dāng)電阻的電壓是VR=10V時，電容最大值是2pF，典型值是0.5pF。ODD-1和ODD-1W在632的波長下靈敏度最小值是0.36A/W，典型值是0.40 A/W，當(dāng)電阻的電壓是VR=10V時，電容最大值是2pF，典型值是0.2pF。

ODD-12W、ODD-12WB（紅藍增強型探測器）在25°時的光電特性

TO-8密封封裝、圓形有效區(qū)域、低電容。

在直徑為4mm測試條件下，活動區(qū)域的典型值是12mm2。在VR=10V測試條件下，暗電流的典型值是3nA，最大值是7nA。在電阻的電流為IR=10µA測試條件下，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測試條件下，電容的典型值是25pF。在VR=10V測試條件下，上升時間典型值為15納秒。在Vf=1V時，串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆，最大值是100歐姆。ODD-12W和ODD-12WB除了靈敏度不一樣，其他都一樣，ODD-12W在632nm的波長下靈敏度最小值是0.35A/W，典型值是0.40 A/W，ODD-12WB波長為450nm時靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。

ODD-15W、ODD-15WB紅藍增強型探測器在25°時的光電特性

TO-5密封封裝、優(yōu)化的芯片尺寸以獲得最大的信號、低電容。

在6.27mmx2.52mm測試條件下，活動區(qū)域的典型值是15.8mm2。在VR=10V測試條件下，暗電流的典型值是4nA，最大值是10nA。在電阻的電流為IR=10µA測試條件下，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測試條件下，電容的典型值是30pF。在VR=10V測試條件下，上升時間典型值為20納秒。在Vf=1V時，串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆，最大值是100歐姆。ODD-15W和ODD-15WB的特點一樣，除了波長的靈敏度不一樣，ODD-15W波長為632nm時靈敏度最小值是0.35A/W，典型值是0.4A/W，ODD-15WB波長是450nm, 靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。

ODD-42W、ODD-42WB紅藍增強型探測器在25°時的光電特性

TO-8密封封裝、優(yōu)化的芯片尺寸以獲得最大的信號、低電容。

在9.91mmx4.28mm測試條件下，活動區(qū)域的典型值是42mm2。在VR=10V測試條件下，暗電流的典型值是11nA，最大值是25nA。在電阻的電流為IR=10µA測試條件下，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測試條件下，電容的典型值是85pF。在VR=10V測試條件下，上升時間典型值為35納秒。在Vf=1V時，串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆，最大值是100歐姆。ODD-42W和ODD-42WB只有靈敏度不一樣，ODD-42W波長為632nm時靈敏度最小值是0.35A/W，典型值是0.4A/W，ODD-42WB波長為450nm時靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28A/W。

ODD-5W、ODD-5WB、ODD-5WBISOL、ODD-5WISOL在25°時的光電特性

TO-5密封封裝、圓形有效區(qū)域、低電容。

在直徑為2.52mm測試條件下，活動區(qū)域的典型值是5mm2。在VR=10V測試條件下，暗電流的典型值是1nA，最大值是3nA。在電阻的電流為IR=10µA測試條件下，反向擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。在電阻的電壓為VR=10V測試條件下，電容的典型值是11pF。在VR=10V測試條件下，上升時間典型值為10納秒。在Vf=1V時，串聯(lián)電阻的典型值為35歐姆，最大值是100歐姆。ODD-5W、ODD-5WB、ODD-5WBISOL、ODD-5WISOL的特點一樣，除了靈敏度不一樣，ODD-5W和ODD-5WISOL在632nm的波長下靈敏度最小值是0.35A/W，典型值是0.40 A/W，ODD-5WB和ODD-5WBISOL在450nm的波長下靈敏度最小值是0.2A/W，典型值是0.28 A/W。

ODD-1型號光電特性圖

從電容與偏置電壓圖中可以看到電容與偏置電壓成反比，電容隨著偏置電壓的增大而減小。從典型的光譜響應(yīng)圖中可以看到靈敏度隨著波長增加而變大，當(dāng)波長達到980nm左右，靈敏度達到最大值。當(dāng)達到最大值后，靈敏度會隨著波長增加而減小。從暗電流與電容關(guān)系圖中，可以看到暗電流隨著電壓的增大而增加。想知道更多型號的光電特性圖，可以聯(lián)系我們。

Opto Diode紅藍增強型探測器