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DP-8800光譜分析儀的優(yōu)勢
1、*的第二代CCD全譜光譜制造技術（數(shù)字化技術替代老式體積龐大笨重的光電倍增電子管模擬技術）、
通道不受限制 ；
2、引進歐洲技術、同光譜儀技術同步，國內*能生產真空CCD全譜技術光譜儀的制造商；
3、基體范圍內通道改變、增加不需費用； 4、升級多基體方便，無須變動增加硬件 ；
5、優(yōu)良的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性，同一樣品不同的時間段分析，可獲得良好的數(shù)據(jù)*性 ；
6、體積小、重量輕， 移動安裝方便 ； 7、高集成度、高可靠性、高穩(wěn)定性 ；
8、節(jié)電、節(jié)材、能耗只是普通光譜儀50%。
主要特點：
可測定包括痕量碳（C），磷（P）,硫（S）元素,適用于多種金屬基體，如：鐵基，鋁基，銅基，鎳基，鉻基，鈦基，
鎂基，鋅基，錫基和鉛基。全譜技術覆蓋了全元素分析范圍，可根據(jù)客戶需要選擇通道元素；
2、分析速度快捷，20秒內測完所有通道的元素成分。針對不同的分析材料，通過設置預燃時間及標線，使儀器用zui短
的時間達到*的分析效果；
3、光學系統(tǒng)采用非真空恒溫光室， 激發(fā)時產生的弧焰由透鏡直接導入真空光室，實現(xiàn)光路直通,消除了光路損耗，提高
檢出限，測定結果準確，重現(xiàn)性及長期穩(wěn)定性；
4、特殊的光室結構設計，使真空室容積更小，抽真空速度不到普通光譜儀的一半；
5、自動光路校準，光學系統(tǒng)自動進行譜線掃描，確保接收的正確性，免除繁瑣的波峰掃描工作。儀器自動識別特定譜線，
與原存儲線進行對比，確定漂移位置，找出分析線當前的像素位置進行測定；
6、開放式的電極架設計，可以調整的樣品夾，便于各種形狀和尺寸的樣品分析；
7、工作曲線采用標樣，預做工作曲線，可根據(jù)需要延伸及擴展范圍，每條曲線由多達幾十塊標樣激發(fā)生成，自動
扣除干擾；
8、HEPS數(shù)字化固態(tài)光源，適應各種不同材料 ； 9、固態(tài)吸附阱，防止油氣對光室的污染，提高長期運行穩(wěn)定性；
10、銅火花臺底座，提高散熱性及堅固性能；
11、合理的氬氣氣路設計，使樣品激發(fā)時氬氣沖洗時間縮短，為用戶節(jié)省氬氣，氬氣消耗不到普通光譜儀的一半；
12、采用鎢材料電極，電極使用壽命更長，并設計了電極自吹掃功能，清潔電極更加容易；
13、高性能DSP及ARM處理器，具有超高速數(shù)據(jù)采集及控制功能并自動實時監(jiān)測光室溫度、真空度、氬氣壓力、 光源、
激發(fā)室等模塊 的運行狀況；
14、儀器與計算機之間采用以太網連接，抗干擾性能好，外部計算機升級與儀器配置無關，使儀器具有更好的適用性；
15、核心器件全部*，保證了儀器優(yōu)秀的品質。
產品參數(shù)指測光學系統(tǒng)
光學結構：帕邢-龍格結構的全譜真空型光學系統(tǒng)
光室溫度：自動控制恒溫：35℃±0.5℃
波長范圍：160-800nm
光柵焦距：350 mm
光柵刻線：3600 l/mm
一級光譜線色散率：1.2 nm/mm
探測器：多塊高性能線陣CCD
平均分辨率：10pm/pixel
激發(fā)臺
氣體：沖氬式
氬氣流量：激發(fā)時3-5L/min， 待機時:無須待機流量
電極：鎢材噴射電極技術
吹掃：點擊自吹掃功能
補償：熱變形自補償設計
分析間隙：樣品臺分析間隙：4mm
激發(fā)光源
類型：HEPS數(shù)字化固態(tài)光源
頻率：100-1000Hz
放電電流：1-80A
特殊技術：放電參數(shù)優(yōu)化設計
預燃：高能預燃技術
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
處理器：ARM處理器，高速數(shù)據(jù)同步采集處理
接口：基于DM9000A的以太數(shù)據(jù)傳輸
電源與環(huán)境要求
輸入：220VAC 50Hz
功率：分析時zui大700W，待機狀態(tài)40W
工作溫度：10-30℃（該溫度范圍內溫度變化不大于5℃/h）
工作濕度：20-80%
尺寸與重量
尺寸：800*450*
重量：85Kg
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