Be（鈹）箔片 參考價(jià)：面議
Be（鈹）箔片
V箔片 參考價(jià)：面議
V箔片
Mg箔 參考價(jià)：面議
鎂（Mg）箔
LSAT晶體基片 參考價(jià)：面議
鋁酸鍶鉭鑭（LSAT）晶體基片
LiNbO3晶體基片 參考價(jià)：面議
鈮酸鋰（LiNbO3）晶體基片
LiAlO2晶體基片 參考價(jià)：面議
鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片
InP晶體基片 參考價(jià)：面議
磷化銦（InP）晶體基片
InAs晶體基片 參考價(jià)：面議
砷化銦（InAs）晶體
KTaO3晶體基片 參考價(jià)：面議
鉭酸鉀（KTaO3）晶體基片
KTN 晶體基片 參考價(jià)：面議
鈮鉭酸鉀 KTN（KTa 1-0.33 Nb0.33O3）晶體基片
Ge晶體基片 參考價(jià)：面議
化學(xué)符號(hào)為Ge ，主要用途有：制作半導(dǎo)體器件、紅外光學(xué)器件及太陽(yáng)能電池襯底等材料。
Gd3Ga5O12晶體基片 參考價(jià)：面議
釓鎵石榴石（GGG）是用于磁光薄膜（YIG或BIG薄膜）的基片.在光通訊設(shè)備中,YIG或BIG薄膜是1.3及1.5光隔離器的核心部件.不同晶向的GGG單晶基片可...
InSb晶體基片 參考價(jià)：面議
鎢酸鎘晶體對(duì)X射線吸收系數(shù)大，輻射長(zhǎng)度短，可使高能物理探測(cè)器做得十分密集，從而降低整個(gè)譜儀的造價(jià)。近年來(lái)，由于鎢酸鎘晶體具有*的光學(xué)性能，使它成為了應(yīng)用在XCT...
CdWO4晶體基片 參考價(jià)：面議
鎢酸鎘晶體對(duì)X射線吸收系數(shù)大，輻射長(zhǎng)度短，可使高能物理探測(cè)器做得十分密集，從而降低整個(gè)譜儀的造價(jià)。近年來(lái)，由于鎢酸鎘晶體具有*的光學(xué)性能，使它成為了應(yīng)用在XCT...
GaSb晶體基片 參考價(jià)：面議
銻化鎵（GaSb）晶體基片
CsI（TI）晶體基片 參考價(jià)：面議
閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率，由于它的能度和強(qiáng)度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測(cè)設(shè)備中，比如機(jī)場(chǎng)，火車站，自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。
Ce:Lu2SiO5晶體基片 參考價(jià)：面議
閃爍晶體的X或Y水平射線有著較高的發(fā)光效率，由于它的能度和強(qiáng)度這些晶體被廣泛用于安全檢查和檢測(cè)設(shè)備中，比如機(jī)場(chǎng)，火車站，自定義端口以及石油勘探領(lǐng)域。
GaN薄膜 參考價(jià)：面議
氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過(guò)程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延G...
坩堝（樣品臺(tái)）可移動(dòng)型1200℃管式爐--OTF-1200X-S-HPCVD 參考價(jià)：面議
OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可爐管內(nèi)移動(dòng)（靠步進(jìn)電機(jī)控制）的小型開(kāi)啟式管式爐。爐管直徑為50mm,設(shè)備Z高工作溫度為1200℃。設(shè)備特點(diǎn)：坩堝通...
GaP晶體基片 參考價(jià)：面議
磷化鎵（GaP）晶體基片
DyScO3晶體基片 參考價(jià)：面議
與鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)體有很好的晶格匹配的鐵電薄膜襯底材料
GaAs晶體基片 參考價(jià)：面議
砷化鎵（GaAs）晶體基片
CdTe晶體基片 參考價(jià)：面議
碲化鎘（CdTe）晶體基片廣泛應(yīng)用于X射線檢測(cè)；紅外光學(xué)；外延基片；蒸發(fā)源的晶體片等相關(guān)領(lǐng)域。
Bi12SiO20晶體基片 參考價(jià)：面議
Bi12SiO20晶體基片(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
11