產(chǎn)品名稱：全自動(dòng)晶圓成像電阻率測(cè)試儀

一、產(chǎn)品概述

儀器采用了*電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。

二、儀器構(gòu)成：

1、 高精度電阻率測(cè)試儀

3、 測(cè)試探頭

高精度電阻率測(cè)量?jī)x：

1.1電阻率：0.00001～20000Ω.cm (可擴(kuò)展)

1.3電阻：0.00001～20000Ω.cm；

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度：±0.1% ；

3、恒流源：

3.2電流誤差：±0.5%

三坐標(biāo)測(cè)試移動(dòng)品臺(tái)：

2、X軸Y軸*小位移量：0.125MM

四探針測(cè)試電極：

上位機(jī)軟件測(cè)量成像系統(tǒng)

2、 測(cè)量點(diǎn)數(shù)：可以設(shè)定

4、 2D成像：測(cè)試完成后，可以立體成像

并且可以證實(shí)絕緣子耐受住了制造者給出的額定機(jī)械負(fù)荷。A.4中給出了根據(jù)使用者要求的負(fù)荷和保證值（斜率和額定機(jī)械負(fù)荷）來選擇絕緣子的例子。本試驗(yàn)的目的是檢查絕緣子強(qiáng)度與時(shí)間的對(duì)數(shù)關(guān)系曲線的斜率是否不大于某一規(guī)定值。通常，該曲線的斜率沒有規(guī)定。但實(shí)際上常見的大值在（5%?7%）1min破壞負(fù)荷時(shí)間對(duì)數(shù)刻度。為了安全起見，同意規(guī)定此強(qiáng)度——時(shí)間曲線的斜率不得超過8%芯棒1min破壞負(fù)荷時(shí)間對(duì)數(shù)刻度。求得該斜率的簡(jiǎn)單辦法是做兩個(gè)機(jī)械破壞負(fù)荷試驗(yàn)：一個(gè)是在1min期間的。

另一個(gè)是在96h期間的。但是，要預(yù)知能給出平均破壞時(shí)間為96h的負(fù)荷是很難的。這是因?yàn)?，?duì)于相同的1min破壞負(fù)荷，如果曲線的斜率是6%而不是8%,則按96h試驗(yàn)8%斜率算岀的這個(gè)負(fù)荷要維持到平均10個(gè)星期。因此，做這一試驗(yàn)的實(shí)際方法是，首先做1min破壞負(fù)荷試驗(yàn)，然后再做96h耐受試驗(yàn)，從中再估算出96h破壞負(fù)荷。注：96h持續(xù)時(shí)間實(shí)際上是根據(jù)其位于對(duì)數(shù)坐標(biāo)中1min?50年的中間位置并考慮一些試驗(yàn)室的具體做法而選取的。1min平均破壞負(fù)荷（M’Q和該數(shù)值分散性的標(biāo)準(zhǔn)偏差（處）二者是必要的，后者用來計(jì)算96h耐受值。通常是做3只絕緣子的1min破壞負(fù)荷試驗(yàn)并算出其平均值（Mav）o然后選取一個(gè)定值作為其標(biāo)準(zhǔn)偏差。

非接觸半絕緣SiC電阻率測(cè)量?jī)x

非接觸半絕緣SiC電阻率測(cè)量?jī)x