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首頁 >> 技術(shù)文章 >> 半導(dǎo)體行業(yè)的溫度控制解決方案 (三):用于等離子體刻蝕系統(tǒng)的精準溫控
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半導(dǎo)體工業(yè)的溫度控制解決方案
系列三:等離子體刻蝕系統(tǒng)的精準溫控
等離子體刻蝕(干法刻蝕)
在半導(dǎo)體生產(chǎn)中,尤其在生產(chǎn)電子設(shè)備所需的復(fù)雜電路時,等離子體刻蝕是所需的基本工藝。
等離子體刻蝕又稱干法刻蝕,在此工藝過程中,晶圓暴露在真空刻蝕室的等離子體中,受到等離子體中離子的轟擊,從而可以去除表面未被光刻膠保護的材料。
由于等離子體的溫度會影響刻蝕過程的速度和效率。在半導(dǎo)體生產(chǎn)中,對等離子體進行高精度的溫度控制非常重要。
晶圓的加工級別在微米級和納米級之間,即使溫度只是發(fā)生了微小的變化,也會導(dǎo)致蝕刻結(jié)構(gòu)的尺寸和形狀發(fā)生顯著變化。
刻蝕系統(tǒng)的溫度控制
LAUDA 為等離子體刻蝕這一敏感工藝,提供專門設(shè)計的 Semistat 系列。
基于久經(jīng)考驗的珀爾帖導(dǎo)熱原理,LAUDA Semistat 工藝恒溫器可對等離子體刻蝕進行可重復(fù)的溫度控制。Semistat 可以對靜電晶圓吸盤(ESC)進行動態(tài)溫度控制,是適用于各種等離子體刻蝕工藝的通用 TCU。Semistat 節(jié)能、省空間、溫度控制穩(wěn)定。
Lauda semistat 工藝恒溫器
開創(chuàng)性的珀爾帖恒溫器:為要求苛刻的工藝,提供快速精準的溫度控制。
用于半導(dǎo)體行業(yè)的,?20 到 90 °C 的熱電工藝恒溫器:
• 制冷功率, 從 1.2 到 4.4 kW
• 加熱功率, 從 3 到 12 kW
技術(shù)參數(shù):
S 1200
溫度穩(wěn)定性
0.1 ℃
制冷功率(20℃)
1.2 kW
最大排放壓力
2.8 Bar
最大流量
22 L/min
最大填充體積
1 L
設(shè)備尺寸
116*232*500
S 2400
2.45 kW
24 L/min
1.25 L
116*300*560
S 4400
4.4 kW
27 L/min
2.8 L
194*300*560
產(chǎn)品優(yōu)勢:
• 無需制冷劑
• 體積小,節(jié)省寶貴的潔凈室空間
• 導(dǎo)熱液體的消耗量少
• 無需經(jīng)常維護
• 大幅減少導(dǎo)熱液體的使用量,節(jié)省成本
針對應(yīng)用進行了優(yōu)化的
高能效的恒溫設(shè)備
基于珀爾帖原理的 LAUDA Semistat ,用于控制等離子刻蝕應(yīng)用的溫度,在運行過程中會及其節(jié)能。
熱電式恒溫器和壓縮機式恒溫器相比較,有以下優(yōu)勢:
壓縮機式
熱電式
需要填充較多的導(dǎo)熱液體:
20 - 30 L
只需要填充少量的導(dǎo)熱液體:
< 3 L
和被控溫設(shè)備之間,需使用長管連接:
長至 20 m
和被控溫設(shè)備之間,只需使用短管連接:
2 - 4 m
靜態(tài)溫度控制
• 大體積的導(dǎo)熱液體
• 遠離應(yīng)用
• 加熱/冷卻速度慢
動態(tài)溫度控制
• 小體積的導(dǎo)熱液體
• 靠近應(yīng)用
• 快速加熱/ 冷卻
有溫度漂移和晶圓間一致性的問題
靜電吸盤溫度均勻
由上述可見,這些優(yōu)勢提高了等離子刻蝕工藝中熱電恒溫設(shè)備的效率,并顯著降低了能耗。
基于實際客戶應(yīng)用,我們對 LAUDA Semistat S 2400 恒溫器和競爭對手的恒溫器進行了比較測量。
我們根據(jù)測量出的耗電量,確定了各自的成本,并計算出了所節(jié)省的電量。
相比之下,LAUDA Semistat S 2400 可節(jié)省 90%的電量。
同時,根據(jù)測量的加熱和冷卻速率,確定了升降溫時間,并計算出了所節(jié)省的時間。熱電型設(shè)備的冷卻和加熱時間(斜率下降和斜率上升時間)也明顯少于用壓縮機型恒溫設(shè)備。
相比之下,LAUDA Semistat S 2400 可節(jié)省高達 67% 的冷卻時間,和 81% 的加熱時間。
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